另外，只有在國際半導體大賽正式結束之後。

國際半導體大賽舉辦方才會徹底公佈所有的參賽作品。

很快，國際半導體大賽就正式開啟了。

也瞬間吸引了無數國家的關注。

第一輪的篩選賽好呢快就過去了。

接下來是真正死傷慘重的淘汰賽了。

這淘汰賽將會淘汰參加這次國際半導體比賽三分之二的參賽隊伍。

因此這也是為何大多數大型半導體機構會派出這麼多隊伍來參賽的原因。

因為在這大浪淘金的淘汰模式中，隊伍越多無疑就是有更多的晉級希望。

另外。

所有的國家隊伍帶來的產品將會由三個智慧機器人裁判的評級，在淘汰賽正式確立後，將國家隊伍的參賽作品和本次淘汰賽之中所有記錄的作品進行一個資料比較和分析。

然後決定是否合適投入到淘汰賽中，合適的就直接投入到淘汰賽之中。

如果不合適，如果是資料超過太多，將會直接免過淘汰賽，晉級到倆千強，但是並不直接和倆千強的參賽作品進行比賽。

因為還要將其對倆千強比賽作品進行一個資料比較和綜合分析，判斷其是否合適投入到這一檔的比賽。

如果適合就直接和一眾民間半導體隊伍的參賽作品進行評級。

如果不合適就代表資料和綜合分析超過當下大部分產品太多。

將會無條件晉級到一千強。

後續的比賽將一直重複這個規則一直到六十四強。

因為按照往年的國際半導體比賽，大部分國家隊伍的參賽作品基本上到了六十四強就不會出現差距太大的產品了。

而這樣的規則，也極大地保證了在比賽過程中，因為國家隊伍的產品和民間半導體產品差距太大而造成的不公平。

因此這也正是每個國家和機構都無比熱衷參加這個比賽的一個重要的原因。

很快。

淘汰賽就正式開始了。

場外所有的參賽隊伍無不是在緊張的等待著最後的結果。

而此時內部，三臺智慧機器人正在將所有參賽的民間隊伍的作品的資訊進行匯總。

很快，他們的螢幕上就顯示了一連串某個國家的參賽作品！

“參賽國家：烏國烏半導體機構。”

“參賽作品：動態隨機存取儲存器（dra）。”

“已經輸入該產品的研製資訊，正在分析設計過程和設計板塊：”

“儲存單元設計：dra的儲存單元是其核心組成部分，設計時要考慮其微縮性和穩定性。目前，堆疊式電容儲存單元已成為業界主流，特別是在70n技術節點後。

工藝確定方面：確定dra的製造工藝，包括os場效應電晶體的製備、電容器的形成等。堆疊式電容儲存單元通常在os場效應電晶體之後形成，而深溝槽式電容儲存單元則在os場效應電晶體之前形成。

選擇高質量的矽基板作為dra的基礎材料。

準備其他所需的材料，如用於電容器電極的t薄膜等。

矽基板處理：對矽基板進行清洗、拋光等預處理，以確保其表面質量。

os場效應電晶體制備上，在矽基板上透過一系列工藝步驟製備os場效應電晶體，包括氧化、光刻、摻雜等。

電容器形成上，根據設計，形成電容器。對於堆疊式電容儲存單元，電容器在os場效應電晶體之後形成；對於深溝槽式電容儲存單元，電容器在os場效應電晶體之前形成。

埋藏字線及主動區製備方面，在矽基板中埋藏字線，並在載體表面上形成主動區。埋藏字線與主動區相交，且在