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第114部分

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“各位院士,教授,下午好。”

在掌聲中,莊純侃侃而談。

“……大型無線充電的實現原理是利用兩端接頭上的控制晶片對電流的控制……”

既有原理,也講了實現後的效果。

“……在模擬實驗室中,大型無線充電的標準有效距離為1km,最高有效距離為3km…5km,5km以外的區域,衰減太大,電流的衰減比會非常大,並不推薦這種方案。”

說著話,虛擬螢幕上適時貼出了一張電流衰減比的對比圖。

底下某些參與了八一秘密研製的大型無線充電專案的院士和教授不知道別人是什麼感受,他們只知道,此刻,他們內心實難平靜。

因為,他們的實驗結果是,在1米到5米的範圍內,電流的衰減比就基本上與圖表中5km以上的衰減比差不多了。

這種差距,簡直無法比較。

“當然,晶片也可以控制電流的輸出效率……”

莊純隨意的補充了一句,作為大型無線充電製造的最後註腳。

白克涼深深的看了眼揮灑自如的莊純,心下不無感慨,這個各方面彷彿都不太出眾的年輕人,其智近乎妖!

說是42公司的成果,還不是他莊純一個人的成果。

熱烈的掌聲中,莊純淡笑著。

由於某些因素,莊純在這次講解中,一個字都沒提及42公司以及他本人的名字。

“接下來……”

ps:前陣子剛看完頸椎,這會腰椎又有問題了,碼字這個職業……

第二百七十一章 婉拒

莊純平靜的聲音響起。

“接下來,咱們來看一看更先進的光刻機的實現原理。”

虛擬螢幕上投射出一張極為複雜的區域性構造圖。

“這是光刻機最關鍵的部件,光刻製程佈局道,我們都知道,要想讓光刻製程提升,有很多因素,光源啦,光道等等。

在工業界之前的認知中,目前理論預測的極限大概在3nm左右,如今市面上基本上已經開始流通7nm了,臺積電也在緊張籌備5nm、3nm生產線,阿斯麥估摸著實驗室對5nm的研製已經很深入了。

我想說的是,理論的極限是真正的物理極限,1nm。”

莊純先是用冗長的一段話,給在座的院士教授們解釋了一些既有的理論,順便提出了自己的觀點。

“莊總,請問你對1nm這個理論極限的推測依據是什麼?”

終於,有一個院士發言提問了。

“大家別急嘛,接下來我要說的就是這個。

在研究出5nm製程的光刻機之時,在模擬實驗室中有些意外的發現,將原先的研究成品推翻了。

如今展現給大家看的,是5nm光刻機,但是,已經相容了3nm,只要某些關鍵的工藝在做一點小突破,直接能上線3nm,也就是之前預測的理論極限。

但,在這個過程中,又有了新的意外發現,3nm並不是極限……”

莊純簡單的幾句話,不僅解釋了1nm的依據,也帶來了絕對的震撼。

能坐在這個會議室的人,都不是靠吹吹捧捧爬上去的,都是有真才實學的,非常明白莊純話語中的含義。

與其說是5nm,不如說是3nm成品。

極其熱烈的掌聲在短暫的震撼過後,響起。

莊純沒有絲毫得意的情緒,繼續給眾院士教授講解著5nm、3nm、1nm光刻的原理,當然1nm的說得很少很少,幾乎是一帶而過。

白克涼、許澤寬等八一高層雖然聽不太懂